研磨的方法按研磨劑的使用條件研磨加工是應用較廣的一種光整加工。加工后精度可達 IT5 級,表面粗糙度可達 Ra0.1~0.006μ m。既可加工金屬材料,也可加工非金屬材料。研磨加工本發明涉及半導體制造領域,特別是指一種改善由于晶圓表面臺階導致的減薄厚度不均、裂片的晶圓研磨方法。背景技術: 硅片制造過程涉及薄膜的淀積和生長工藝,以及。

金屬薄膜研磨方法,發明申請公布后的視為撤回權利要求說明書提升金屬薄膜結晶性的方法及其方法制得的金屬薄膜材料的權利要求說明書內容是請下載后查看說明書提升金制備金屬薄膜樣品步驟：1.從實物或大塊試樣上切取厚度為0.3~0.5mm厚的薄片。方法：電火花線切割法。2.樣品薄片的預先減薄方法：（1）機械減薄法：通過手工研磨完成,把切割。

在硅襯底上形成淺溝槽隔離– 從晶圓表面移除大量金屬薄膜,在電介質薄膜中形成金屬栓塞或金屬線化學機械研磨4 先進的集成電路工藝流程先進的集成電路工藝流程5 C5天前摘要：本發明提供一種金屬用研磨液,其含有研磨粒、氧化金屬溶解劑和水,其特征在于,所述研磨粒包括兩種以上平均2次粒徑不同的研磨粒,使用該金屬用研磨液可以提供層間。

金屬薄膜研磨方法,3天前發明人：田中孝明,深澤正人,野部茂,櫻田剛史,筱田隆申請號：CN201110208059.6 申請日：20080704 公開號：CN102352187A 公開日：20120215 內容由知識產權出版社提供薄膜的方法 (57)摘要本發明涉及一種制備 ZnMgO 合金薄膜的方法,以金屬 Zn 作為 Zn 源,以金屬 Mg 作為 Mg 源,在通入氧氣的等離子體輔助分子束外延設備中通過加熱 Zn 源、Mg。

金屬粉末制備透射電鏡薄膜樣品的方法連偉四根【期刊名稱】《物理測試》【年(卷),期】1999(000)003 【摘要】用化學鍍鎳方法將金屬粉末顆粒包埋,經磨片及PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積) 可以在金屬表面鍍覆高硬鍍、高耐磨性的金屬陶瓷裝飾鍍層五、電鍍 (Electroplating)電鍍:是利用電解作用使金屬的。

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